Izolyatsiya qilingan eshik bipolyar tranzistorining (IGBT) ishlash printsipi

Izolyatsiya qilingan eshikli bipolyar tranzistor (IGBT) - bu MOSFETlarning yuqori kirish empedansini va GTRlarning past o'tkazuvchanlik kuchlanishini birlashtiradigan, to'liq boshqariladigan kuchlanishli-kompozitsion quvvatli yarimo'tkazgichli qurilma.

 

Asosiy tuzilma va harakat mexanizmi
Uch{0}}terminal kompozit tuzilmasi: IGBT bipolyar tranzistorni (PNP) boshqaruvchi MOSFETga ichki ekvivalent bo'lgan darvoza, kollektor va emitentdan iborat.

Voltaj-boshqariladigan xarakteristikalar: Voltaj-boshqariladigan qurilma sifatida tavsiya etilgan eshik haydash kuchlanishi 15V ± 1,5V, yuqori kirish empedansi va past haydash quvvatiga ega.

 

Mexanizmni-yoqing va oʻchiring-
Yoqish{0}}jarayon: Darvoza va emitent o'rtasida chegaradan oshib ketadigan to'g'ridan-to'g'ri kuchlanish qo'llanilganda, MOSFET ichida PNP tranzistoriga tayanch oqimni ta'minlaydigan va IGBT ni yoqadigan kanal hosil bo'ladi. Bu vaqtda o'tkazuvchanlik modulyatsiyasi effekti qo'llaniladi; qarshilikni pasaytirish uchun N hududiga teshiklar kiritilib, past -holatdagi kuchlanish pasayishiga erishiladi.

Jarayonni o'chirish-: darvozaga teskari kuchlanish qo'llanilganda yoki signal o'chirilganda, MOSFET kanali yo'qoladi, asosiy oqim uziladi va IGBT o'chadi. O'chirish- vaqtida yo'qotishlarni kamaytirish uchun optimallashtirilgan dizaynni talab qiladigan quyruq oqimi hodisasi mavjud.

 

Asosiy xususiyatlar va ilovalar
Elektr xususiyatlari: 600V dan yuqori kuchlanishga, 10A dan yuqori oqimga va 1kHz dan yuqori chastotaga ega bo'lgan hududlar uchun mos keladi, bu yuqori{3}}tezkorlik va past qarshilikni birlashtiradi.

Qo'llash sohalari: Asosan fotovoltaik invertorlar, yangi energiya avtomobil elektron boshqaruv tizimlari, sanoat chastota konvertatsiya uskunalari va induksion isitish uchun ishlatiladi.