Izolyatsiya qilingan eshikli bipolyar tranzistorning (IGBT) asosiy xususiyatlari

Asosiy elektr xususiyatlari

Yuqori kirish empedansi: MOSFET xususiyatlarini meros qilib oladi, kam haydash quvvatini talab qiladi va oddiy haydash davriga ega.

 

Past o'tkazuvchanlik kuchlanishining pasayishi: Supero'tkazuvchilar modulyatsiya effektidan foydalanadi; yoqilgan{0}}holatning toʻyinganlik kuchlanishi (Vce(sat)) bir xil kuchlanish nominaliga ega boʻlgan MOSFETlarga qaraganda ancha past, odatda 1,5~3V.

 

Yuqori kuchlanish va katta oqim qobiliyati: 600V dan 6500V gacha bo'lgan kuchlanish darajalariga mos keladi, oqim 10A dan 1800A gacha.

 

O'rtacha almashtirish chastotasi: Ish chastotasi diapazoni odatda o'nlab kHz (masalan, 10-100 kHz), BJT dan yuqori, lekin MOSFET dan past.

 

Ijobiy harorat koeffitsienti: Nominal oqim ostida, Vce (sat) harorat bilan bir oz ortadi, bu parallel ravishda foydalanilganda oqim almashinuvi uchun foydalidir.